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    什么是T3Ster 

    T3Ster ® [發音:tri-ster]  --- the Thermal Transient Tester:熱瞬態測試儀,用于半導體器件的先進熱特性測試儀,同時用于測試      IC、SoC、SIP、散熱器、熱管等的熱特性。
     

    • T3Ster兼具JESD51-1定義的靜態測試法(Static Mode)與動態測試法(Dynamic Mode),能夠實時采集器件瞬態溫度響應曲線(包括升溫曲線與降溫曲線),其采樣率高達1微秒,測試延遲時間高達1微秒,結溫分辨率高達0.01℃。


    • T3Ster既能測試穩態熱阻,也能測試瞬態熱阻抗。

     

    • T3Ster的研發者MicRed是JEDEC最新的結殼熱阻(θjc)測試標準(JESD51-14)的制定者,T3Ster是目前全球唯一滿足此標準的儀器。
     

    • T3Ster的測試方法符合IEC 60747系列標準。
     

    • T3Ster的研發者MicRed制定了全球第一個用于測試LED的國際標準JESD51-51,以及LED光熱一體化的測試標準JESD51-52。T3Ster和TeraLED是目前全球唯一滿足此標準所規定的光熱一體化測試要求的。
     

    • T3Ster的測試方法符合MIL-STD-883H method 1012.1和MIL-750E 3100系列的要求。
     

    • T3Ster獨創的Structure Function(結構函數)分析法,能夠分析器件熱傳導路徑上每層結構的熱學性能(熱阻和熱容參數),構建器件等效熱學模型,是器件封裝工藝、可靠性試驗、材料熱特性以及接觸熱阻的強大支持工具。因此被譽為熱測試中的“X射線”。
     

    • T3Ster可以和熱仿真軟件Flotherm,FloEFD無縫結合,將實際測試得到的器件熱學參數導入仿真軟件進行后續仿真優化。

     

    查看詳細介紹請點擊此處下載T3Ster.pdf

     

    T3Ster的應用范圍及功能  

    應用范圍:

    各種三極管、二極管等半導體分立器件,包括:常見的半導體閘流管、雙極型晶體管、以及大功率IGBT、MOSFET、LED等器件;

    各種復雜的IC以及MCM、SIP、SoC等新型結構 ;

    各種復雜的散熱模組的熱特性測試,如熱管、風扇等。             

     

    功能:

    •  半導體器件結溫測量;

    • 半導體器件穩態熱阻及瞬態熱阻抗測量;

    半導體器件封裝內部結構分析,包括器件封裝內部每層結構(芯片+焊接層+熱沉等)的熱阻和熱容參數;

    半導體器件老化試驗分析和封裝缺陷診斷,幫助用戶準確定位封裝內部的缺陷結構。

    材料熱特性測量(導熱系數和比熱容)

    接觸熱阻測量,包括導熱膠、新型熱接觸材料的導熱性能測試。

     

    測試方法——基于電學法的熱瞬態測試技術

    測試方法——電學法

    尋找器件內部具有溫度敏感特性的電學參數,通過測量該溫度敏感參數(TSP)的變化來得到結溫的變化。

    TSP的選擇:一般選取器件內PN結的正向結電壓。

    測試技術:熱瞬態測試

    當器件的功率發生變化時,器件的結溫會從一個熱穩定狀態變到另一個穩定狀態,我們的儀器將會記錄結溫在這個過程中的瞬態變化曲線。

    一次測試,既可以得到穩態的結溫熱阻數據,也可以得到結溫隨著時間的瞬態變化曲線。

    瞬態溫度響應曲線包含了熱流傳導路徑中每層結構的詳細熱學信息(熱阻和熱容參數)。

     

    組件配置  

    熱測試主機   

                 T3Ster熱測試主機  

    計算機控制接口

     USB接口,滿足數據傳輸提取方便的要求

     測試時間

    以分鐘為單位計

     結溫測試分辨率

     0.01℃

    最大加熱時間

    不限

    最小測試延遲時間

    1us(用戶可根據需要在軟件中調節1us~10000s不限)

    RC網絡模型級數

    2-100個

     

    功率輸出模塊

     

    加熱電流源

    -2A~2A

    加熱電壓源

    -10V~10V

    測試電流源(4路)

    -25mA~25mA 

     

    數據采集模塊及控制模塊

    最小測試延遲時間(tMD

    1µs

    最小采樣時間間隔(ts

    1µs

    每倍頻采樣點數

    400個(典型值)

    最大采樣點數

    65000個

    測量通道

    2個(最大可擴展至8個)

    電壓變化測量檔位

    400mv/200mv/100mv/50mv

    電壓測量分辨率

    12μV(以50mV量程計算)

     

    溫度控制設備  

    T3Ster為客戶提供了三種溫度可控的恒溫設備,包括:干式溫控儀、濕式溫控儀以及液冷板。這三種恒溫設備除了能控制待測器件的溫度以測試器件的K系數,同時還能作為結溫熱阻測試時器件的散熱環境,幫助控制器件的殼溫。

    干式溫控儀

    干式溫控儀采用熱電致冷芯片(Peltier單體)來控制器件的溫度。

     

    計算機控制接口

    COM

    恒溫槽尺寸

    52*52*10 mm3

    溫度控制范圍

    5 - 90 oC

    溫度控制精度

    ± 0.2 oC

    溫度過載保護

    95 oC

    散熱功率

    8W

                                               T3Ster干式溫控儀

     

    濕式溫控儀

    濕式溫控儀采用油浴的方式來控制待測器件的溫度,使用時將待測器件浸沒在液體中以獲得恒溫環境。此外T3Ster提供的濕式溫控儀還可以作為一個動力泵,驅動外接的液冷板以控制液冷板的溫度。

     

    型號

    溫度范圍(℃)

    溫度穩定性(℃)

    加熱功率(KW)

    制冷功率

    20℃(KW)

    油槽尺寸

    (W×L/D cm)

    F25-HE

    -28~200

    ±0.01

    2

    0.26

    12×14/14

    F32-HE

    -35~200

    ±0.01

    2

    0.45

    18×12/15

    F34-HE

    -30~150

    ±0.01

    2

    0.45

    24×30/15

     

                                                                 

      液冷板

       液冷板的作用:與濕式溫控儀配套使用,可以控制冷板的溫度,為測試器件的結溫、熱阻提供恒定的溫度環境。

    (1)外觀尺寸:550*160*110 mm;

    (2)單板尺寸:540*140*20 mm;       

    (3)材質:硬級鋁;

                                             T3Ster濕式溫控儀

     

     

    T3Ster液冷夾具

    (1) 和T3Ster濕式溫控儀配套使用,利用液冷的方式來控制待測器件的殼溫,并配以氣動壓緊裝置。

    (2) 散熱冷板材質:銅。

    (3) 有效散熱面積:210mm*210mm

    (4) 配備平底器件以及TO封裝器件(包括TO-3)的測試夾具。

     

    T3Ster-Gold ref/熱測試儀校正樣品(Golden Reference) 

         性能穩定的半導體器件,方便用戶定期檢測測試主機的功能是否正常。

     

        標準靜止空氣箱(still-air chamber)

    1)滿足JEDEC JESD 51-2要求

    2)尺寸:1立方英尺

                                                 

     

        熱電偶前置放大器

    1)方便T3Ster主機與J, K或 T 型熱電偶的聯接。 

    2)T3Ster主機可以方便地測試熱電偶接觸點的溫度隨著時間變化的曲線。

                                            

     

     

     大功率BOOSTER 

     

    高電流模式

    單通道

    38A/40V

    50A/30V

    200A/7V

    測試電流:0~200mA 測試電流:0~200mA

    測試電流:0~500mA

       

    柵極電壓源:15V

    雙通道

    38A/40V

    50A/30V [1]

     

    三通道

     

     

    200A/7V [2]

     

     注解:【1】通過雙通道并聯,輸出電流最高可達100A

                【2】通過三通道并聯,輸出電流最高可達600A

                                 
    單通道高電流booster  雙通道高電流booster

                                                                             

    高電壓模式

    單通道

    10A/100V

    10A/150V

    10A/280V

    測試電流:0~200mA 測試電流:0~200mA

    測試電流:0~200mA

    雙通道

     

    10A/150V

    10A/280V

                                           

     

                單通道高電壓booster                                                                                     雙通道高電壓booster

     

     TeraLED

    1)完全符合CIE 127-2007關于LED光測試的要求。

    2)配合T3Ster可以滿足JESD 51-52規定的LED光熱一體化測試的要求。

    3)整套系統包括:Φ300mm或Φ500mm積分球1個,參考LED1個,多功能光度探頭1個,TERALED控制系統1套,恒溫基座1個。

    T3Ster TeraLED

     

     

    4)測試功能:

    (1)測試LED基于熱功率的真實熱阻;

    (2)測試不同的電流與結溫下的

              a)、二極管的伏安特性;

              b)、光功率(mW);

              c)、光通量(lm)(包括明視覺光通量和暗視覺光通量);

              d)、流明效率(lm/W);

              e)、色坐標(X,Y,Z三刺激值);

              f)、色溫。

     

    數據分析軟件(T3Ster Master)

    數據分析軟件T3SterMaster提供了數據的分析功能,幾秒鐘內,軟件就可以將采集的數據以結構函數的形式表現出來。測試結果包括:測量參數(Record Parameters),測量得到的瞬態溫度響應曲線(Measured response),分析后的瞬態溫度響應曲線(Smoothed response),熱阻抗曲線(Zth),時間常數譜(Tau Intensity),頻域分析(Complex Locus),脈沖熱阻(Pulse Thermal Resistance),積分結構函數以及微分結構函數。

     

    (1)測試參數(Record Parameter)

    詳細記錄了每次測試的測試參數,包括加熱功率,待測器件的k系數,測試時間以及測試通道等。

                        

    (2)瞬態溫度響應曲線

     

    橫坐標為時間,縱坐標為結溫的改變,詳細記錄了結溫隨著時間瞬態變化的曲線。從該圖可以得到待測器件在達到熱穩定狀態時結溫的變化量。

     

    (3)熱阻抗曲線

     

    將瞬態溫度響應曲線對加熱功率進行歸一化即可得到熱阻抗曲線。橫坐標為時間,縱坐標為熱阻抗??梢詮膱D中讀出某一時刻的熱阻抗以及達到熱穩定狀態后的總熱阻。

     

    (4)頻域響應(Complex Locus)

     

    圖中橫坐標為實部,表示幅值的改變,縱坐標為虛部,表示相位的變化。如圖所示,在不同的頻率下,其熱阻值和相位延遲是不同的。

    該特性主要用于高頻器件的設計優化過程,可研究器件在各種不同頻率情況下的熱性能。當輸入的功率信號為Asin(ωt+Ф)時,器件結溫的升高不僅受幅值A的影響,還和輸入功率的頻率ω有關。由于熱容的存在,溫度變化的最大值和功率的最大值是不同步的,他們之間會存在一個相位延遲△Ф。而且同一個功率值在高頻工況下對器件造成的溫升比低頻工況下造成的溫升低,這是由于在高頻條件下,熱量被更多地儲存在芯片附近的熱容層,并沒有往外耗散。因此頻域分析對于高頻器件的設計優化非常有用。

     

    (5)脈沖熱阻(Pulse Thermal Resistance)

    該功能描述的是器件工作在脈沖方波情況下的熱學特性。橫坐標是脈沖寬度(s),縱坐標是脈沖熱阻值(℃/W)。器件工作在脈沖方波情況下,其熱阻值與脈沖寬度和占空比有關。

    (6)積分結構函數與微分結構函數

                   

     

    通過積分結構函數和微分結構函數可以分析熱傳導路徑上每層結構的熱阻以及熱容信息,構建器件等效熱學模型,作為器件封裝工藝、可靠性試驗、材料熱特性以及接觸熱阻的強大支持工具。

    (7)RC網絡模型

    用戶可根據實際需求在分析軟件中選擇RC模型的級數或者選擇軟件默認的全部RC模型級數,RC模型級數:2-100個,并將分析得到的RC數值保存在測試文件中。

    軟件會給出根據RC模型得到的瞬態熱阻抗曲線與實測瞬態熱阻抗曲線的對比。

     

    T3Ster的工作原理(硬件實時采集+結構函數分析)

    測試K系數:建立結溫與電壓之間的關系

    在器件本身的自發熱(self-heating)可以忽略的情況下,將器件置于溫度可控的恒溫環境中,改變環境溫度,測量TSP。得到一條校準曲線。該直線的斜率即為k系數。

     

     

                                                           

     

    在接下來的過程中,測量得到的電壓變化值乘以k值即為結溫變化量。

     

    熱測試

      常規測試步驟

    1.  通入工作電流,使結溫升高達到飽和。

    2、進行工作電流到測量電流的高速切換。(1us)

    3、在結溫下降過程中,實時采樣pn結電壓,再通過K系數得到pn結點的降溫曲線,采樣間隔最快為1us。

    T3Ster硬件的技術優勢

    A. 先進的靜態實時測試方法

    T3Ster兼具JESD51-1規定的的靜態測試法(static mode)和動態測試法(dynamic mode),但是靜態測試法更先進,更高端,因此我們推薦用戶采用靜態測試法。靜態測試法可以實時地采集待測器件的結溫隨著時間的變化,而動態測試法是通過人為構建脈沖加熱功率來模擬瞬態過程,并非器件實際的瞬態溫度響應。靜態法的測試時間短、測試數據點密而且測試數據的信噪比更高。

    B. 測試啟動時間高達1us,保證了測試結果的準確性

    研究表明,在測試中如果瞬態變化最初1ms時間內的溫度沒有被采集到,最終的熱阻值將被低估10%-15%左右。

    C、實時采樣時間間隔高達1us,采樣點數最多65000點,保證了數據的完備性

     

     

    結構函數

    硬件采集完畢后,通過數據分析軟件,幫助用戶得到可以直接分析器件內部結構的結構函數。

    結構函數:將器件封裝結構可視化的函數。方便用戶進行熱傳導路徑上各種結構的分層、進行結構分析。

    1)如何利用結構函數識別器件的結構



    2) 利用結構函數識別器件封裝內部的“缺陷”

    當器件某個結構或接觸發生變化時,我們可以通過對比試驗清晰地看到

    利用結構函數可以幫助用戶識別器件內部的缺陷,并能定量得到該缺陷引起的熱阻變化。

    查看詳細介紹請點擊此處下載T3Ster.pdf

     

    T3Ster的應用案例

      測量結殼熱阻(junction-to-case thermal resistance)(JEDEC 組織2010年11月公布最新測試標準JESD 51-14) 

    JEDEC(國際固態技術協會)于2011年11月正式通過并頒布了由T3Ster研

    發團隊提交的基于熱瞬態測試技術和結構函數分析法的最新結殼熱阻測試標

    準。與傳統的測試方法相比,最新的熱瞬態測試界面法(Transient Dual

    Interface)具有更高的準確性和可重復性,而T3Ster是目前唯一滿足此標準

    的商業化產品。通過這種高重復性的方法,可以方便地比較各種器件的結殼

    熱阻,而且這種方法同樣適用于熱界面材料(TIMs)的熱特性表征。

    第一次測量:直接將器件干接觸到熱沉上;

    第二次測量:在器件和熱沉之間放置一個分離層。

    由于兩次散熱路徑的改變僅僅發生在器件封裝殼

    (Case)之外,因此結構函數上兩次測量的分界

    處就代表了器件的殼。

        

      封裝結構的質量檢查

    利用結構函數可以非破壞性測量器件中固晶層的熱阻這一特點,在實際應用中可以用來實現:
     1) 結構無損檢測;
     2) 封裝材料和工藝優化;
     3) 器件可靠性篩選
     
      結構無損檢測        

    ST Microelectronics公司利用T3Ster瞬態測量的方法成功測量出了固晶層(Die attach)的缺陷,而且測試結果也得到了超聲顯微圖像的驗證。
    ST將同樣的芯片通過三種不同的工藝焊接到金屬層上,通過T3Ster的無損檢測,成功測試除了三種不同焊接結構的熱阻。
     
    通過對比的方法,T3Ster的測試結果不僅可以定性地找出存在缺陷的結構,而且還能定量得到缺陷引起的熱阻的變化量。

    由于三次測試的芯片是一樣的,

    因此在結構函數中表征芯片部分

    的曲線是完全重合在一起的。隨

    著die attach完好、邊角存在空洞

    以及中心存在空洞,該結構層的

    熱阻逐漸變大。這是由于空洞阻

    塞了有效的散熱通道造成的。

     

      失效分析 (BJT器件)



     

      老化試驗表征手段

    通過T3Ster強大的結構函數分析功能,不僅能夠分析老化前后總熱阻的變化量,還可以得到每層結構的熱阻變化,從而為分析老化機理提供數據。

     
    老化方法:
    周期性溫度變化
    濕度條件
     
    試驗方法:
    利用T3Ster進行熱瞬態測試
     
    分析方法:
    利用T3Ster Master 分析軟件提供的結構函數進行分析
     
    從芯片后波峰的移動可以清晰地看出由于老化造成的分層(delamination),導致了芯片粘結層(Die attach)的熱阻增大。
     
      

      利用T3Ster研究新型微通道散熱結構Micro-channel cooler

    改變微通道散熱結構中的流體流速

    利用T3Ster測試每種流速下的結構函數進行比較分析

     
    T3Ster 測試結果
    流量計測試結果

    T3Ster 測試結果與熱通量感應器所得到的結果是相互吻合的,即微通道結構中流體的流速越大, 其散熱性能越好。

     

      提供器件的熱學模型

    T3Ster的測試結果可以直接導入到FloTHERM軟件進行后期系統散熱分析。

      仿真模型的驗證 

          驗證模型

            包括材料熱學性能的驗證

     

      接觸熱阻的測量
    隨著半導體制造技術的不斷成熟,熱界面材料(TIM)的熱性能已經成為制約高性能封裝產品
    的瓶頸。接觸熱阻的大小與材料、接觸質量是息息相關的。

    采用T3Ster,可以快速準確地測試各種接觸熱阻:
         導熱膠;
         導熱墊片;
        螺釘連接;
        干接觸。


    NANOPACK FP7與歐盟(9M EUR)的合作項目:利用T3Ster測量接觸熱阻和熱界面材料


    實驗設計:在器件和熱沉之間放置不同的界面材料,并施以不同的力,用T3Ster測試其接觸熱阻的大小。

    結論:接觸熱阻的大小不僅與接觸材料有關,還與接觸的質量有關。接觸材料的導熱系數越大,接觸熱阻越小。接觸質量越好,接觸熱阻越小。

     熱阻矩陣——利用T3Ster研究多芯片熱學性能

    通過熱阻矩陣,可以方便地研究多芯片的熱學性能,不僅考慮某個芯片對于外部環境的自熱阻,還考慮芯片之間的耦合熱阻。熱阻矩陣的元素通過下面的方法獲得:

    在某個芯片處施加功率

    測量所有芯片處的溫度

    再用1W的功率進行歸一化

     T3Ster 在功率半導體器件領域的應用

      英飛凌利用T3Ster,按照JESD51-14測試其MOSFET器件的結殼熱阻

    產品型號:SPP80N06S2L-11 TO封裝  

     測試結果:

             器件在兩種不同的散熱環境下結溫隨著時間的變化曲線

                   器件在兩種不同的散熱環境下的微分結構函數

    英英英飛凌是T3Ster 的戰略合作伙伴,共同制定了全新的結殼熱阻測試標準JESD51-14。通過T3Ster,不僅可以測試器件的結殼熱阻,還可以通過結構函數分析器件熱傳導路徑上各層結構的熱阻值。

      三星電子利用T3Ster測試其IGBT模組的熱特性 (返回頂部↑) 

        

     1) 測試裝置:

                  

     

     2)測試結果:

    IGBT 模組在兩種散熱環境下的結溫變化曲線

    通過結構函數分析IGBT的熱傳導路徑

    IGBT模組作為超大功率半導體器件,T3Ster為其提供了完整的測試方案,包括雙層散熱液冷板、大功率的Booster等。

              T3Ster在LED領域的應用

    伴隨著LED的功率越來越大,合理有效的熱管理也變得越來越重要。因為LED的結溫直接影響其光學性能和壽命。

      如圖所示,對于LED產品來說,如果不考慮光功率的影響,其熱阻值RthJA會隨著環境溫度和驅動電流的不同變化而不同,這顯然是不符合物理實際的。
      因此,對于LED的熱阻定義,必須考慮其光輸出的影響。  
     
                                                     
    因此T3Ster專門為LED產業開發了實現LED光熱一體化測量的TERALED:ThErmal and RAdiometric Measurement of power LEDs。

     Teraled 與T3Ster 能夠實現JESD 51-52 規定的光熱一體化測試要求
     
      Lumileds 利用T3Ster 分析其產品的散熱結構
     
    利用T3Ster提供的結構函數分析功能,可以得到:
    a、LED在該環境下的總熱阻;
    b、LED內部各層結構的熱阻(包括熱界面材料的接觸熱阻)。

     
     LED燈具測量
     
     研究對象: LED燈具選擇兩種不同材質的轉接頭的散熱性能比較,其中一個是采用金屬材料的轉接頭,另一個是采用塑料材質的轉接頭。

     
       燈具一:金屬轉接頭                   
      
     燈具二:塑料轉接頭
     
     • 研究方法:
    將LED燈具放置到JEDEC規定的一立方英尺的標準靜止空氣箱中,有利用T3Ster進行熱瞬態測試。
     
    結果分析:

    利用T3Ster進行結果分析:

    a. 得到兩種散熱條件下該LED燈具到周圍環境的熱阻Rja;
    b. 通過結構函數可以清晰地看到由于散熱器引起的熱阻的差異;
    c. 同一種結構的測量重復性非常好。
     
    本案例表明,采用不同材質的轉接頭對燈具散熱效果影響很小,批量制造可以選擇價格便宜的塑料材質作為轉接頭。
     
      LED模組的熱測量
     
    研究對象:由八十個LED組成的LED模組,十個串聯為一組,共八組。

     
     研究方法:利用T3Ster配置的選配件T3Ster Booster來驅動該LED模組。

     
        加熱狀態:
    35V @ 2A
    加熱電流
                                         測量狀態:35V @ 350mA測量電流 
     

     測試結果:

     

     光熱一體化測試結果

    通過T3Ster 與TeraLED 的光熱一體化測試,可以幫助用戶分析LED的各項光電色參數與驅動電流、結溫等的關系,包括

      二極管的伏安特性;

     光功率(mW);

     光通量(lm)(包括明視覺光通量和暗視覺光通量);

      流明效率(lm/W);

      色坐標(X、Y、Z三刺激值)

      色溫。

     

     

       熱界面材料(TIM)的測量——DynTIM:

          DynTIM能夠模擬真實的電子散熱環境,衡量熱界面材料在不同壓力的條件下的散熱性能,方便封裝工程師根據實際應用情況選擇合適的熱界面材料。

          DynTIM能夠測試熱界面材料的導熱系數。(可測試材料包括:導熱硅脂,黏合劑,間隙填充材料,導熱墊以及部分剛性材料)。

          DynTIM可以自動設置材料的壓緊厚度,提高測試精度。

          DynTIM可以進行材料的老化研究。

       

    DynTIM

    DynTIM的技術參數:

    •  相對測試精度:5%

    •  厚度設置精度:1um

    •  內置5A電流源,不需要Booster

    •  每種樣品測試時間:大約20分鐘

    •  自動測試壓縮性材料的特性

    •  可以測試不同環境溫度下的材料特性

    利用T3Ster結合DyTIM測試熱界面材料的推薦配置

    實驗室同時擁有T3Ser和DynTIM的益處:

    •  DynTIM結合T3Ster可以精確地測試材料的導熱系數

    1)幫助用戶選擇合適的熱界面材料,以降低成本

    2)幫助用戶在模擬軟件中建立更加準確的熱學模型,以獲得更精確的仿真結果

     

    •  熱界面材料在真實環境中的性能會有所不同

    1)用戶在選擇了導熱系數合適的材料后,可以使用T3Ster驗證該材料在實際應用環境下的真實熱性能

    2)用戶通過T3Ster和DynTIM的完整表征系統,確保做出最佳的選擇

    熱界面材料 不同厚度下引起的溫度變化

    熱界面材料在不同厚度下的熱學性能

      

    通過改變熱界面材料的厚度,可以有效地屏蔽接觸熱阻對測試結果的影響。

     

     

    T3Ster 瞬態熱測試儀幫助設計和制造高性能 LED

    當 LED 燈功耗越來越大,就更應該關注其散熱問題, 因為其對 LED 燈的性能和使用壽

    命至關重要。這就是為什么OSRAM 一直致力于LED 燈的散熱設計。T3Ster的測量精確

    性和可重復性可以用于驗證OSRAM 的設計以及產品的可靠性。T3Ster內部的結構函數在

    OSRAM 進行可靠性測試不同熱問題時特別有用。

        成功案例下載

     

     

    T3ster國內部分客戶

    中國科學院半導體研究所

    中國科學院電工所

    中國計量科學研究院(NIM)

    中國科學院上海技術物理研究所常州分所

    (常州光電技術研究院)

    中國空間技術研究院器件可靠性中心(511)

    中國空間技術研究院總體部(501)

    中國空間技術研究院西安分院(504)

    中國航天科工集團北京無線電測量研究所

    (航天二院23所)

    北京微電子研究所(航天772研究所)

    北京航天控制儀器研究所

    工業和信息化部電子工業標準化研究院
    (電子四所)

    工業和信息化部電子第五研究所

    中國電子科技集團第十研究所

    中國電子科技集團第十三研究所

    中國電子科技集團第五十八研究所

    (無錫微電子科研中心)

    國家半導體器件質量監督檢驗中心

    (濰坊半導體照明產品檢測中心)

    國家半導體發光器件應用產品質量監督檢驗中心
    (廈門質檢所)

    國家半導體照明產品質量監督檢驗中心
    (常州質檢所)

    廣東省半導體照明產業聯合創新中心

    濟寧國家半導體及顯示產品質量監督檢測中心

    貴州省機械電子產品質量監督檢驗院

    (國家電子基礎元器件質量監督檢驗中心)

    廣東省東莞市質量監督檢測中心

    佛山市香港科技大學LED-FPD工程技術研究開發中心

     

     

     

     

     

     

     

     

    香港應用技術研究院(ASTRI)

    上海大學

    復旦大學

    中國計量學院

    廈門大學

    廈門理工學院

    華中科技大學(武漢光電國家實驗室)

    桂林電子科技大學

    深圳大學

    香港大學

    香港科技大學

    香港城市大學

    中國南車集團

    上海亞明照明

    三安光電

    德豪潤達

    深圳天電光電

    華為技術公司(HUAWEI)

    歐普照明股份有限公司

    廣州市鴻利光電股份有限公司

    深圳瑞豐光電

    Philips上海研發中心

    Lumileds上海研發中心

    三星電子南京研發中心

    三星電子廣州研發中心

    LG中國研發中心

    上海漢高(Ablestik部門)

    (注:漢高公司的Ablestik系列產品是世界
                領先的自填充晶圓黏結劑)

    蘇州硅能半導體科技股份有限公司

    陜西唐華能源有限公司

    大洋電機新動力科技有限公司

    華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司NCAP

    成都先進功率半導體股份有限公司

    深圳市振華微電子有限公司

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     



         

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